Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH186N60EF-T1GE3
SIHH186N60EF-T1GE3

SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihh186n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+159.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH186N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH186N60EF-T1GE3 за ціною від 152.7 грн до 349.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHH186N60EF-T1GE3 SIHH186N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh186n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.42 грн
10+ 264.26 грн
100+ 213.79 грн
500+ 178.34 грн
1000+ 152.7 грн
SIHH186N60EF-T1GE3 SIHH186N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihh186n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.72 грн
10+ 290.21 грн
25+ 239.67 грн
100+ 204.29 грн
250+ 192.94 грн
500+ 181.59 грн
1000+ 155.55 грн
SIHH186N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay sihh186n60ef.pdf Power MOSFET With Fast Body Diode
товар відсутній