Технічний опис SiHH20N50E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SiHH20N50E-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SIHH20N50E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHH20N50E-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
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Produktpalette: E Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.147ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIHH20N50E-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIHH20N50E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.147 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
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Produktpalette: E Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)