SiHH21N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 458.01 грн |
| 10+ | 379.66 грн |
| 25+ | 311.54 грн |
| 100+ | 267.03 грн |
| 250+ | 251.75 грн |
| 500+ | 237.14 грн |
| 1000+ | 203.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SiHH21N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 12.8A, Pulsed drain current: 53A, Power dissipation: 156W, Case: PowerPAK® 8x8L, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.17Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 99nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SiHH21N65E-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SiHH21N65E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.8A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 156W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SiHH21N65E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8 |
товар відсутній |
|
|
|
SiHH21N65E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.3A PPAK 8X8 |
товар відсутній |
|
| SiHH21N65E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.8A; Idm: 53A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12.8A Pulsed drain current: 53A Power dissipation: 156W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |