Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH240N60E-T1-GE3
SIHH240N60E-T1-GE3

SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihh240n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.71 грн
10+140.28 грн
100+114.36 грн
500+94.19 грн
1000+87.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH240N60E-T1-GE3 за ціною від 97.61 грн до 223.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihh240n60e.pdf MOSFETs PWRPK 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.48 грн
10+162.89 грн
25+140.91 грн
100+113.76 грн
250+113.02 грн
500+99.81 грн
1000+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH240N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihh240n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihh240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.