Продукція > VISHAY > SIHH24N65EF-T1-GE3
SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY

sihh24n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 202W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 202W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm.

Інші пропозиції SIHH24N65EF-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH24N65EF-T1-GE3 SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY sihh24n65ef.pdf Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 202W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SIHH24N65EF-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 202W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.