SIHH250N60EF-T1GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHH250N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 276.78 грн |
| 10+ | 187.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHH250N60EF-T1GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH250N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHH250N60EF-T1GE3 за ціною від 138.60 грн до 345.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHH250N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHH250N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHH250N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH250N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SIHH250N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |