Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHH250N60EF-T1GE3
SIHH250N60EF-T1GE3

SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihh250n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+379.02 грн
10+242.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHH250N60EF-T1GE3 за ціною від 136.74 грн до 394.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.70 грн
10+259.38 грн
100+171.27 грн
500+152.24 грн
1000+147.31 грн
3000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 VISHAY sihh250n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 13A; 89W; 8,X
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 89W
Case: 8; X
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+222.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+394.70 грн
10+259.38 грн
100+171.27 грн
500+152.24 грн
1000+147.31 грн
3000+136.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 13A; 89W; 8,X
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 89W
Case: 8; X
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+222.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.