SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 81.51 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHJ10N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.313 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 10, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 89, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.313, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4.5, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHJ10N60E-T1-GE3 за ціною від 88.41 грн до 261.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8 |
на замовлення 11903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
на замовлення 11903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 261.87 грн |
| 10+ | 164.79 грн |
| 50+ | 127.28 грн |
| 100+ | 108.08 грн |
| 500+ | 88.41 грн |
| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)