SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 80.99 грн |
| 6000+ | 76.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHJ10N60E-T1-GE3 за ціною від 85.89 грн до 271.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V |
на замовлення 11973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.81 грн |
| 10+ | 163.77 грн |
| 100+ | 114.44 грн |
| 500+ | 87.84 грн |
| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.28 грн |
| 10+ | 175.06 грн |
| 100+ | 106.14 грн |
| 500+ | 87.28 грн |
| 3000+ | 85.89 грн |