Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHJ240N60E-T1-GE3
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

sihj240n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.59 грн
10+176.06 грн
100+107.17 грн
500+101.04 грн
1000+95.69 грн
3000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHJ240N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHJ240N60E-T1-GE3 за ціною від 111.90 грн до 254.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHJ240N60E-T1-GE3 SIHJ240N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihj240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.21 грн
10+160.27 грн
100+111.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ240N60E-T1-GE3 SIHJ240N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihj240n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ240N60E-T1-GE3 SIHJ240N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihj240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ240N60E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sihj240n60e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 30A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 89W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.