SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 240.88 грн |
| 10+ | 150.85 грн |
| 100+ | 104.79 грн |
| 500+ | 79.88 грн |
| 1000+ | 78.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHJ7N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 598mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHJ7N65E-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHJ7N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHJ7N65E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)