Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHJ8N60E-T1-GE3
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

sihj8n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.23 грн
10+129.44 грн
100+80.92 грн
500+66.58 грн
1000+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHJ8N60E-T1-GE3 за ціною від 64.81 грн до 214.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihj8n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 2881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.87 грн
10+134.11 грн
100+92.53 грн
500+70.17 грн
1000+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihj8n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sihj8n60e.pdf SIHJ8N60E-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihj8n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.