SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.043 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 398.07 грн |
| 50+ | 340.15 грн |
| 100+ | 286.08 грн |
| 250+ | 280.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.043 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHK045N60E-T1-GE3 за ціною від 332.13 грн до 811.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.043 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 138A Drain current: 48A Power dissipation: 278W Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIHK045N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 138A Drain current: 48A Power dissipation: 278W Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |