SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 482.43 грн |
| 50+ | 403.02 грн |
| 100+ | 315.76 грн |
| 250+ | 295.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 278W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm.
Інші пропозиції SIHK045N60E-T1-GE3 за ціною від 295.37 грн до 713.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK045N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHK045N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 278W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHK045N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerBSFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHK045N60E-T1-GE3 | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SIHK045N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 683.45 грн |
| 10+ | 474.73 грн |
| 100+ | 360.07 грн |
| 500+ | 356.55 грн |
| 2000+ | 300.99 грн |
| SIHK045N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 695.75 грн |
| 5+ | 589.09 грн |
| 10+ | 482.43 грн |
| 50+ | 403.02 грн |
| 100+ | 315.76 грн |
| 250+ | 295.37 грн |
| SIHK045N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 713.63 грн |
| 10+ | 491.78 грн |
| 100+ | 408.81 грн |
| SIHK045N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 406.38 грн |