Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHK045N60EF-T1-GE3
SIHK045N60EF-T1-GE3

SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V MOSFET
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.65 грн
10+67.51 грн
100+45.76 грн
500+37.81 грн
1000+29.87 грн
3000+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.045 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHK045N60EF-T1-GE3 за ціною від 372.09 грн до 821.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY 3763646.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.045 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+562.02 грн
50+468.23 грн
100+398.97 грн
250+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY 3763646.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.045 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+774.94 грн
5+678.38 грн
10+562.02 грн
50+468.23 грн
100+398.97 грн
250+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk045n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+812.52 грн
10+557.89 грн
100+490.47 грн
500+377.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihk045n60ef.pdf MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES
на замовлення 3434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+821.39 грн
10+693.75 грн
25+547.35 грн
100+506.15 грн
2000+487.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay sihk045n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 9-Pin(8+Tab) PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY sihk045n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 133A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk045n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY sihk045n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Case: PowerPAK® 1012
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 133A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.