Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHK045N60EF-T1-GE3
SIHK045N60EF-T1-GE3

SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V MOSFET
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.45 грн
10+63.82 грн
100+43.25 грн
500+35.74 грн
1000+28.23 грн
3000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHK045N60EF-T1-GE3 за ціною від 330.32 грн до 780.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihk045n60ef.pdf MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.78 грн
10+483.03 грн
100+368.57 грн
500+356.74 грн
2000+330.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk045n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.77 грн
10+519.74 грн
100+407.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk045n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 Виробник : VISHAY sihk045n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 133A
Power dissipation: 278W
Case: PowerPAK® 1012
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.