Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHK045N60EF-T1-GE3
SIHK045N60EF-T1-GE3

SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V MOSFET
на замовлення 9050 шт:
термін постачання 396-405 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.21 грн
10+68.90 грн
100+46.70 грн
500+38.59 грн
1000+30.48 грн
3000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 396-405 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHK045N60EF-T1-GE3 за ціною від 300.30 грн до 721.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihk045n60ef.pdf MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+721.71 грн
10+480.02 грн
100+343.84 грн
500+312.31 грн
1000+300.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
SIHK045N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+721.71 грн
10+480.02 грн
100+343.84 грн
500+312.31 грн
1000+300.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
SIHK045N60EF-T1GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK045N60EF-T1GE3 sihk045n60ef.pdf
SIHK045N60EF-T1GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.