Продукція > VISHAY > SIHK050N65E-T1-GE3
SIHK050N65E-T1-GE3

SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY

sihk050n65e.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+651.89 грн
50+555.30 грн
100+465.63 грн
250+456.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHK050N65E-T1-GE3 за ціною від 346.59 грн до 859.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Виробник : Vishay sihk050n65e.pdf MOSFETs PWRPK 650V 45A N CHAN
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+804.03 грн
10+601.08 грн
100+435.43 грн
500+406.62 грн
2000+346.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Виробник : VISHAY sihk050n65e.pdf Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+859.31 грн
5+756.05 грн
10+651.89 грн
50+555.30 грн
100+465.63 грн
250+456.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihk050n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3992 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.