Продукція > VISHAY > SIHK050N65E-T1-GE3
SIHK050N65E-T1-GE3

SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY

sihk050n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHK050N65E-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Vishay sihk050n65e.pdf MOSFETs PWRPK 650V 45A N CHAN
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 VISHAY sihk050n65e.pdf Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 sihk050n65e.pdf
SIHK050N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs PWRPK 650V 45A N CHAN
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK050N65E-T1-GE3 sihk050n65e.pdf
SIHK050N65E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.