SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 248.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHK075N60E-T1-GE3 за ціною від 279.62 грн до 592.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK075N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 167W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHK075N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHK075N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET |
на замовлення 3745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHK075N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|