Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHK075N60E-T1-GE3
SIHK075N60E-T1-GE3

SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihk075n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2582 pF @ 100 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+563.87 грн
10+369.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 167W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIHK075N60E-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHK075N60E-T1-GE3 SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihk075n60e.pdf MOSFETs PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 SIHK075N60E-T1-GE3 VISHAY 3646761.pdf Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 SIHK075N60E-T1-GE3 VISHAY 3646761.pdf Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 sihk075n60e.pdf
SIHK075N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PWRPK 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 3646761.pdf
SIHK075N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK075N60E-T1-GE3 3646761.pdf
SIHK075N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK075N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.07 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.