Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHK085N60EF-T1GE3

SIHK085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix


sihk085n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+259.23 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 184W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHK085N60EF-T1GE3 за ціною від 233.92 грн до 560.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHK085N60EF-T1GE3 SIHK085N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihk085n60ef.pdf MOSFETs 600Vds 30V Vgs PowerPAK 10 x 12
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.30 грн
10+407.13 грн
100+275.12 грн
500+273.72 грн
1000+259.06 грн
2000+233.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 SIHK085N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk085n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.10 грн
10+392.61 грн
100+288.65 грн
500+234.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 sihk085n60ef.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600Vds 30V Vgs PowerPAK 10 x 12
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+539.30 грн
10+407.13 грн
100+275.12 грн
500+273.72 грн
1000+259.06 грн
2000+233.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK085N60EF-T1GE3 sihk085n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2733 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+560.10 грн
10+392.61 грн
100+288.65 грн
500+234.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.