Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHK105N60E-T1-GE3
SIHK105N60E-T1-GE3

SIHK105N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihk105n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+182.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK105N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerBSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SIHK105N60E-T1-GE3 за ціною від 161.41 грн до 439.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHK105N60E-T1-GE3 SIHK105N60E-T1-GE3 Vishay sihk105n60ef.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.90 грн
10+300.71 грн
100+189.60 грн
1000+179.73 грн
2000+161.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK105N60E-T1-GE3 SIHK105N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk105n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.28 грн
10+303.59 грн
100+219.65 грн
500+172.57 грн
1000+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK105N60E-T1-GE3 sihk105n60ef.pdf
SIHK105N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+416.90 грн
10+300.71 грн
100+189.60 грн
1000+179.73 грн
2000+161.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK105N60E-T1-GE3 sihk105n60ef.pdf
SIHK105N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2301 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+439.28 грн
10+303.59 грн
100+219.65 грн
500+172.57 грн
1000+168.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.