Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHK110N65SF-T1GE3
SIHK110N65SF-T1GE3

SIHK110N65SF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihk110n65sf.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+157.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHK110N65SF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 329W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SF Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.

Інші пропозиції SIHK110N65SF-T1GE3 за ціною від 173.72 грн до 431.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHK110N65SF-T1GE3 SIHK110N65SF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk110n65sf.pdf Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.97 грн
10+278.69 грн
50+219.71 грн
100+188.38 грн
500+173.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3 SIHK110N65SF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihk110n65sf.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3 VISHAY sihk110n65sf.pdf Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3 sihk110n65sf.pdf
SIHK110N65SF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+431.97 грн
10+278.69 грн
50+219.71 грн
100+188.38 грн
500+173.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3 sihk110n65sf.pdf
SIHK110N65SF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHK110N65SF-T1GE3 sihk110n65sf.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.