SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 2.3 mO a. 10V, 3.35 mO a. 4.5V
MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 2.3 mO a. 10V, 3.35 mO a. 4.5V
на замовлення 18050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.83 грн |
| 10+ | 138.42 грн |
| 100+ | 96.88 грн |
| 500+ | 79.26 грн |
| 1000+ | 65.54 грн |
| 3000+ | 58.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.109 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHK125N60EF-T1-GE3 за ціною від 177.83 грн до 428.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.109 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.109 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET |
на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 9-Pin(8+Tab) PowerPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 54A Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A On-state resistance: 0.125Ω кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIHK125N60EF-T1GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 132W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 54A Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A On-state resistance: 0.125Ω |
товару немає в наявності |