SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 2.3 mO a. 10V, 3.35 mO a. 4.5V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.27 грн |
| 10+ | 131.69 грн |
| 100+ | 92.17 грн |
| 500+ | 75.41 грн |
| 1000+ | 62.36 грн |
| 3000+ | 55.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHK125N60EF-T1-GE3 за ціною від 143.84 грн до 446.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK125N60EF-T1GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHK125N60EF-T1GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIHK125N60EF-T1GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 438.34 грн |
| 10+ | 282.69 грн |
| 100+ | 203.97 грн |
| 500+ | 177.60 грн |
| SIHK125N60EF-T1GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 446.43 грн |
| 10+ | 291.50 грн |
| 100+ | 185.04 грн |
| 500+ | 167.59 грн |
| 1000+ | 157.11 грн |
| 2000+ | 143.84 грн |