SIHK155N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 172.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK155N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHK155N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.135 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHK155N60E-T1-GE3 за ціною від 142.31 грн до 451.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK155N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK155N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.135 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHK155N60E-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK155N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.135 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHK155N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHK155N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|