SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 397.55 грн |
| 10+ | 254.83 грн |
| 50+ | 199.86 грн |
| 100+ | 170.95 грн |
| 500+ | 141.88 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHK185N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 114W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHK185N60E-T1-GE3 за ціною від 148.21 грн до 425.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHK185N60E-T1-GE3 | Vishay |
MOSFETs PWRPK 600V 19A E SERIES |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHK185N60E-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 19A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Power dissipation: 114W Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SIHK185N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
MOSFETs PWRPK 600V 19A E SERIES
MOSFETs PWRPK 600V 19A E SERIES
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 425.71 грн |
| 10+ | 219.76 грн |
| 100+ | 173.80 грн |
| 500+ | 157.24 грн |
| 1000+ | 148.21 грн |
| SIHK185N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 19A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 114W
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 19A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 114W
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 209.38 грн |