SIHL026N65E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1016.61 грн |
| 10+ | 687.52 грн |
| 100+ | 574.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHL026N65E-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9286 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHL026N65E-GE3 за ціною від 572.40 грн до 1058.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHL026N65E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 650V |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIHL026N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1058.29 грн |
| 10+ | 572.40 грн |