SIHL040N65E-GE3 Vishay Siliconix


sihl040n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5344 pF @ 100 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
480+322.97 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 480 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHL040N65E-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5344 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHL040N65E-GE3 за ціною від 336.30 грн до 789.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHL040N65E-GE3 SIHL040N65E-GE3 Vishay Siliconix sihl040n65e.pdf Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.75 грн
10+488.96 грн
50+393.93 грн
100+349.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3 SIHL040N65E-GE3 Vishay Semiconductors sihl040n65e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+789.98 грн
10+432.61 грн
100+336.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3 sihl040n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+738.75 грн
10+488.96 грн
50+393.93 грн
100+349.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL040N65E-GE3 sihl040n65e.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+789.98 грн
10+432.61 грн
100+336.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.