SIHL050N65SF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 474.06 грн |
| 10+ | 307.59 грн |
| 480+ | 187.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHL050N65SF-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6369 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHL050N65SF-GE3 за ціною від 186.59 грн до 498.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHL050N65SF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 650V |
на замовлення 819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|