
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 29.61 грн |
24+ | 26.14 грн |
100+ | 22.44 грн |
500+ | 19.29 грн |
1000+ | 16.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHLU024-GE3 Vishay
Description: LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SIHLU024-GE3 за ціною від 20.38 грн до 59.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHLU024-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHLU024-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SIHLU024-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
SIHLU024-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SIHLU024-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9.2A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |