на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 664.06 грн |
| 10+ | 476.60 грн |
| 100+ | 345.74 грн |
| 500+ | 322.34 грн |
| 3000+ | 274.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHM080N60E-T1-GE3 Vishay
Description: N-CHANNEL 600V, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V, Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual.
Інші пропозиції SIHM080N60E-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHM080N60E-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual |
товару немає в наявності |