SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 603.22 грн |
| 10+ | 400.18 грн |
| 100+ | 335.26 грн |
| 500+ | 308.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP050N60E-GE3 за ціною від 337.68 грн до 657.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP050N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHP050N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHP050N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Pulsed drain current: 155A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SIHP050N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 32A Pulsed drain current: 155A Power dissipation: 278W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |