SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix


sihp050n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+604.46 грн
10+ 499.11 грн
100+ 415.89 грн
500+ 344.38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP050N60E-GE3 за ціною від 313.11 грн до 647.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+647.25 грн
10+ 547.41 грн
25+ 451.31 грн
100+ 396.56 грн
250+ 383.88 грн
500+ 350.5 грн
1000+ 313.11 грн
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp050n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SIHP050N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHP050N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній