SIHP052N60EF-GE3

SIHP052N60EF-GE3 Vishay Siliconix


sihp052n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
на замовлення 926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.82 грн
50+218.21 грн
100+211.34 грн
500+197.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP052N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP052N60EF-GE3 за ціною від 230.61 грн до 456.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP052N60EF-GE3 SIHP052N60EF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp052n60ef.pdf MOSFETs EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.31 грн
10+421.32 грн
25+261.17 грн
100+244.98 грн
500+239.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 SIHP052N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2898291.pdf Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.045 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+456.38 грн
5+419.24 грн
10+381.28 грн
50+319.56 грн
100+262.44 грн
250+230.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihp052n60ef.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp052n60ef.pdf SIHP052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.