SIHP065N60E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHP065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 456.37 грн |
| 5+ | 438.53 грн |
| 10+ | 420.7 грн |
| 50+ | 357.52 грн |
| 100+ | 298.8 грн |
| 250+ | 293.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP065N60E-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP065N60E-GE3 за ціною від 232.57 грн до 692.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP065N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP065N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHP065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 25A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 485 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |