SIHP080N60E-GE3

SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix


sihp080n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.15 грн
50+175.85 грн
100+168.15 грн
500+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP080N60E-GE3 за ціною від 142.50 грн до 379.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp080n60e.pdf MOSFETs TO220 600V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.68 грн
10+265.86 грн
100+187.98 грн
500+166.75 грн
1000+144.02 грн
2000+142.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013953769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP080N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+379.23 грн
10+215.12 грн
100+204.92 грн
500+177.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.