Продукція > VISHAY > SIHP100N60E-GE3
SIHP100N60E-GE3

SIHP100N60E-GE3 VISHAY

sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.82 грн
25+234.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP100N60E-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP100N60E-GE3 за ціною від 112.98 грн до 382.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP100N60E-GE3 SIHP100N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp100n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1851 pF @ 100 V
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.53 грн
50+144.52 грн
100+131.64 грн
500+112.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 SIHP100N60E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp100n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 13986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.37 грн
10+196.09 грн
100+155.84 грн
500+129.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.