Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP100N65E-GE3
SIHP100N65E-GE3

SIHP100N65E-GE3 Vishay Siliconix

sihp100n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET 650 V (D-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2137 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.80 грн
10+427.46 грн
100+317.80 грн
500+267.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP100N65E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 208W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції SIHP100N65E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP100N65E-GE3 SIHP100N65E-GE3 VISHAY sihp100n65e.pdf Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3 SIHP100N65E-GE3 Vishay sihp100n65e.pdf MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3 SIHP100N65E-GE3 VISHAY sihp100n65e.pdf Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3 sihp100n65e.pdf
SIHP100N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3 sihp100n65e.pdf
SIHP100N65E-GE3
Виробник: Vishay
MOSFETs E Series Power MOSFET 650 V (D-S) 150 C MOSFET 0.1 10V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N65E-GE3 sihp100n65e.pdf
SIHP100N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP100N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.