
SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 342.74 грн |
50+ | 207.25 грн |
100+ | 188.80 грн |
500+ | 162.30 грн |
1000+ | 157.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHP105N60EF-GE3 за ціною від 186.91 грн до 380.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHP105N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SIHP105N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
SIHP105N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
SIHP105N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 0.102Ω Power dissipation: 208W Drain current: 19A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 73A Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
SIHP105N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 53nC On-state resistance: 0.102Ω Power dissipation: 208W Drain current: 19A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 73A Drain-source voltage: 600V |
товару немає в наявності |