Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP105N60EF-GE3
SIHP105N60EF-GE3

SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihp105n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.25 грн
50+199.71 грн
100+181.92 грн
500+156.39 грн
1000+151.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP105N60EF-GE3 за ціною від 180.11 грн до 389.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY 2838131.pdf Description: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.27 грн
10+300.60 грн
100+245.57 грн
500+193.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp105n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.50 грн
10+331.73 грн
25+259.91 грн
100+204.27 грн
500+190.36 грн
2500+180.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihp105n60ef.pdf SIHP105N60EF-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp105n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.102Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp105n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.102Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Mounting: THT
Case: TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.