SIHP105N60EF-GE3

SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix


sihp105n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.74 грн
50+207.25 грн
100+188.80 грн
500+162.30 грн
1000+157.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP105N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP105N60EF-GE3 за ціною від 186.91 грн до 380.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp105n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.42 грн
10+217.57 грн
100+186.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 SIHP105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0019268325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+380.15 грн
10+352.02 грн
100+222.46 грн
500+189.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihp105n60ef.pdf SIHP105N60EF-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp105n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 0.102Ω
Power dissipation: 208W
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp105n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 0.102Ω
Power dissipation: 208W
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.