SIHP110N65SF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 111.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP110N65SF-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP110N65SF-GE3 за ціною від 106.40 грн до 328.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHP110N65SF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP110N65SF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 650V |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|