на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 330.27 грн |
| 10+ | 217.03 грн |
| 100+ | 145.70 грн |
| 500+ | 129.09 грн |
| 1000+ | 110.21 грн |
| 2000+ | 104.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP110N65SF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: N-CHANNEL 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP110N65SF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP110N65SF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 650V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2772 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |