Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHP11N80AE-GE3
SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix

sihp11n80ae.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.59 грн
10+89.12 грн
100+73.89 грн
500+65.30 грн
1000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP11N80AE-GE3 за ціною від 64.05 грн до 197.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010452960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.05 грн
10+117.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.54 грн
50+94.06 грн
100+84.69 грн
500+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihp11n80ae.pdf Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 Виробник : VISHAY sihp11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.