Продукція > VISHAY > SIHP11N80AE-GE3
SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 42nC
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.19 грн
10+108.11 грн
50+93.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP11N80AE-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm.

Інші пропозиції SIHP11N80AE-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 VISHAY VISH-S-A0010452960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3
SIHP11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 VISH-S-A0010452960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHP11N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.