SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.96 грн |
| 10+ | 189.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP11N80E-GE3 за ціною від 115.50 грн до 311.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP11N80E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP11N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
E Series Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHP11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 88nC Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SIHP11N80E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 88nC Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |