Продукція > VISHAY > SIHP120N60E-GE3
SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3 Vishay

sihp120n60e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+266.56 грн
10+253.16 грн
25+248.11 грн
50+236.81 грн
100+209.06 грн
250+200.06 грн
500+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP120N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP120N60E-GE3 за ціною від 156.30 грн до 429.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+266.56 грн
56+253.16 грн
57+248.11 грн
58+236.81 грн
100+209.06 грн
250+200.06 грн
500+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.51 грн
50+218.47 грн
100+199.60 грн
500+156.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+266.56 грн
56+253.16 грн
57+248.11 грн
58+236.81 грн
100+209.06 грн
250+200.06 грн
500+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+429.51 грн
50+218.47 грн
100+199.60 грн
500+156.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.