Продукція > VISHAY > SIHP120N60E-GE3
SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3 Vishay

sihp120n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+248.23 грн
56+235.76 грн
57+231.05 грн
58+220.52 грн
100+194.69 грн
250+186.30 грн
500+185.70 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP120N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP120N60E-GE3 за ціною від 159.58 грн до 482.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+265.96 грн
10+252.60 грн
25+247.55 грн
50+236.27 грн
100+208.59 грн
250+199.61 грн
500+198.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.34 грн
50+223.04 грн
100+203.79 грн
500+159.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.17 грн
10+251.57 грн
100+200.19 грн
1000+184.04 грн
2000+178.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.