Продукція > VISHAY > SIHP120N60E-GE3
SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3 Vishay

sihp120n60e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+246.00 грн
56+233.64 грн
57+228.97 грн
58+218.54 грн
100+192.94 грн
250+184.63 грн
500+184.03 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP120N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP120N60E-GE3 за ціною від 153.34 грн до 442.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+263.57 грн
10+250.32 грн
25+245.32 грн
50+234.15 грн
100+206.72 грн
250+197.81 грн
500+197.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.33 грн
50+214.32 грн
100+195.82 грн
500+153.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.59 грн
10+230.87 грн
100+183.45 грн
500+178.60 грн
1000+159.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 66A
Gate charge: 45nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.