Продукція > VISHAY > SIHP120N60E-GE3
SIHP120N60E-GE3

SIHP120N60E-GE3 Vishay

sihp120n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+214.44 грн
10+203.67 грн
25+199.60 грн
50+190.51 грн
100+168.19 грн
250+160.94 грн
500+160.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP120N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP120N60E-GE3 за ціною від 151.13 грн до 268.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+230.94 грн
56+219.33 грн
57+214.95 грн
58+205.16 грн
100+181.12 грн
250+173.32 грн
500+172.77 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.96 грн
50+164.87 грн
100+164.54 грн
500+151.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.86 грн
10+246.45 грн
25+171.73 грн
100+169.53 грн
500+168.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp120n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp120n60e.pdf SIHP120N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.