Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP125N60EF-GE3
SIHP125N60EF-GE3

SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihp125n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+405.65 грн
10+260.54 грн
100+186.97 грн
500+146.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP125N60EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP125N60EF-GE3 SIHP125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp125n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 SIHP125N60EF-GE3 VISHAY sihp125n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHP125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 sihp125n60ef.pdf
SIHP125N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 sihp125n60ef.pdf
SIHP125N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 179
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EF
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.