SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.52 грн |
| 10+ | 264.92 грн |
| 100+ | 190.12 грн |
| 500+ | 148.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP125N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP125N60EF-GE3 за ціною від 159.64 грн до 436.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHP125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
SIHP125N60EF-GE3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHP125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHP125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω |
товару немає в наявності |