Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3 Vishay / Siliconix

sihp12n5.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 500V
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.61 грн
10+270.21 грн
25+209.17 грн
100+175.70 грн
250+167.34 грн
500+146.42 грн
1000+145.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP12N50C-E3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SIHP12N50C-E3 за ціною від 137.31 грн до 400.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP12N50C-E3 SIHP12N50C-E3 Виробник : Vishay Siliconix sihp12n5.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+400.82 грн
10+257.42 грн
100+184.57 грн
500+144.07 грн
1000+137.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50C-E3 Виробник : VISHAY sihp12n5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 12A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
250+157.27 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.