SIHP12N50E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 121.65 грн |
| 12+ | 70.67 грн |
| 100+ | 67.47 грн |
| 500+ | 54.40 грн |
| 1000+ | 47.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP12N50E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHP12N50E-GE3 за ціною від 51.31 грн до 178.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 114W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 50nC On-state resistance: 0.38Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 114W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 50nC On-state resistance: 0.38Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 458 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|