SIHP12N50E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.32 грн |
| 50+ | 74.66 грн |
| 100+ | 68.92 грн |
| 500+ | 61.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP12N50E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHP12N50E-GE3 за ціною від 50.47 грн до 147.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHP12N50E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHP12N50E-GE3 THT N channel transistors |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SIHP12N50E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |