Продукція > VISHAY > SIHP12N50E-GE3
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3 VISHAY

VISH-S-A0019270465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.48 грн
12+79.29 грн
100+75.69 грн
500+61.03 грн
1000+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP12N50E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP12N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10.5 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHP12N50E-GE3 за ціною від 53.71 грн до 193.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp12n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.56 грн
10+97.57 грн
100+76.44 грн
500+63.31 грн
1000+59.55 грн
2000+55.47 грн
5000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp12n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.95 грн
50+91.68 грн
100+82.45 грн
500+62.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihp12n50e.pdf SIHP12N50E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 458 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.16 грн
12+105.06 грн
25+103.90 грн
32+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 Виробник : Vishay sihp12n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.