на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 79.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP12N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHP12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHP12N60E-GE3 за ціною від 65.42 грн до 228.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 147W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHP12N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Pulsed drain current: 27A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SIHP12N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SIHP12N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Pulsed drain current: 27A |
товару немає в наявності |