| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.06 грн |
| 10+ | 151.77 грн |
| 100+ | 91.47 грн |
| 500+ | 76.11 грн |
| 1000+ | 66.69 грн |
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Технічний опис SIHP12N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SIHP12N65E-GE3 за ціною від 75.65 грн до 237.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
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SIHP12N65E-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SIHP12N65E-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIHP12N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 237.06 грн |
| 10+ | 153.97 грн |
| 100+ | 106.72 грн |
| 500+ | 75.65 грн |