на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.85 грн |
| 10+ | 168.14 грн |
| 100+ | 116.83 грн |
| 250+ | 107.49 грн |
| 500+ | 103.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP14N50D-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP14N50D-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP14N50D-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|
 |
SIHP14N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
SIHP14N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|
|
|
SIHP14N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |