SIHP14N50D-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP14N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 208
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP14N50D-GE3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP14N50D-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP14N50D-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHP14N50D-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)