Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHP14N60E-BE3
SIHP14N60E-BE3

SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix

sihp14n60e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.19 грн
10+110.04 грн
100+91.86 грн
500+74.41 грн
1000+65.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP14N60E-BE3 Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL 600V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP14N60E-BE3 за ціною від 72.71 грн до 221.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP14N60E-BE3 SIHP14N60E-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp14n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.09 грн
50+106.02 грн
100+95.65 грн
500+72.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 Виробник : Vishay sihp14n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 Виробник : Vishay sihp14n60e.pdf N Channel Trans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 Виробник : VISHAY sihp14n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 309mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.