SIHP14N60E-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.58 грн |
| 50+ | 97.46 грн |
| 100+ | 93.47 грн |
| 500+ | 71.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP14N60E-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP14N60E-BE3 за ціною від 64.66 грн до 205.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP14N60E-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 600V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHP14N60E-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHP14N60E-BE3 | Виробник : Vishay |
N Channel Trans MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHP14N60E-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SIHP14N60E-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC |
товару немає в наявності |