на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.53 грн |
| 10+ | 153.41 грн |
| 100+ | 98.54 грн |
| 500+ | 81.86 грн |
| 1000+ | 77.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP14N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP14N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP14N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
| SIHP14N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHP14N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 309mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHP14N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 147W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 309mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A Gate charge: 64nC |
товару немає в наявності |