Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP155N60EF-GE3
SIHP155N60EF-GE3

SIHP155N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihp155n60ef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.99 грн
10+217.18 грн
100+154.19 грн
500+119.49 грн
1000+111.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP155N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.159 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP155N60EF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP155N60EF-GE3 SIHP155N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp155n60ef.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP155N60EF-GE3 SIHP155N60EF-GE3 VISHAY sihp155n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.159 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP155N60EF-GE3 sihp155n60ef.pdf
SIHP155N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP155N60EF-GE3 sihp155n60ef.pdf
SIHP155N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.159 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.