SIHP155N60EF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.136 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 240.16 грн |
| 10+ | 161.76 грн |
| 100+ | 116.37 грн |
| 500+ | 105.75 грн |
| 1000+ | 94.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP155N60EF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP155N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.136 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.136ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHP155N60EF-GE3 за ціною від 113.22 грн до 353.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode TO-220AB, 157 mohm a. 10V |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHP155N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |