Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP15N50E-BE3
SIHP15N50E-BE3

SIHP15N50E-BE3 Vishay Siliconix

sihp15n50e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.47 грн
50+96.62 грн
100+92.64 грн
500+70.25 грн
1000+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP15N50E-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 500V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP15N50E-BE3 за ціною від 64.59 грн до 193.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp15n50e.pdf MOSFETs TO220 500V 14.5A N-CH MOSFET
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.12 грн
10+115.91 грн
100+91.22 грн
250+90.49 грн
500+73.42 грн
1000+64.96 грн
2000+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 Виробник : Vishay sihp15n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 Виробник : Vishay sihp15n50e.pdf N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 Виробник : VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 Виробник : VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.