Продукція > VISHAY > SIHP15N50E-GE3
SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3 VISHAY

sihp15n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+181.41 грн
5+131.21 грн
10+115.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP15N50E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 14.5, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHP15N50E-GE3 за ціною від 69.36 грн до 212.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.82 грн
10+132.56 грн
50+101.48 грн
100+85.83 грн
500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihp15n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.82 грн
10+132.56 грн
50+101.48 грн
100+85.83 грн
500+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.