Продукція > VISHAY > SIHP15N50E-GE3
SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3 VISHAY

sihp15n50e.pdf Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.05 грн
5+142.81 грн
10+124.56 грн
12+79.34 грн
33+75.37 грн
50+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP15N50E-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP15N50E-GE3 за ціною від 57.87 грн до 196.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.49 грн
50+76.89 грн
100+75.13 грн
500+58.70 грн
1000+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp15n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.16 грн
10+86.63 грн
100+73.35 грн
500+60.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.86 грн
5+177.96 грн
10+149.47 грн
12+95.21 грн
33+90.45 грн
50+86.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Виробник : Vishay sihp15n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.