SIHP15N50E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 66nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 213.49 грн |
| 5+ | 160.12 грн |
| 10+ | 140.63 грн |
| 12+ | 84.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP15N50E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 14.5, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP15N50E-GE3 за ціною від 67.79 грн до 242.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP15N50E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V |
на замовлення 11201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHP15N50E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SIHP15N50E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 233.58 грн |
| 10+ | 145.78 грн |
| 50+ | 111.63 грн |
| 100+ | 94.42 грн |
| 500+ | 76.29 грн |
| SIHP15N50E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.61 грн |
| 10+ | 122.60 грн |
| 100+ | 92.34 грн |
| 500+ | 76.58 грн |
| 1000+ | 72.30 грн |
| 2000+ | 68.47 грн |
| 5000+ | 67.79 грн |