Продукція > VISHAY > SIHP15N60E-E3
SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3 Vishay

sihp15n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 157
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP15N60E-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP15N60E-E3 за ціною від 70.31 грн до 115.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP15N60E-E3 SIHP15N60E-E3 Виробник : Vishay sihp15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.7 грн
10+ 88.93 грн
25+ 86.62 грн
100+ 78.22 грн
250+ 70.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIHP15N60E-E3 SIHP15N60E-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp15n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.47 грн
10+ 101.6 грн
25+ 85.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N60E-E3 SIHP15N60E-E3 Виробник : Vishay sihp15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SIHP15N60E-E3 SIHP15N60E-E3 Виробник : Vishay sihp15n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SIHP15N60E-E3 SIHP15N60E-E3 Виробник : Vishay Siliconix sihp15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товар відсутній